科目：高中化學 來源： 題型：
下列說法不正確的是( )
A．在離子晶體中，一定存在離子鍵
B．陽離子只有氧化性，陰離子只有還原性
C．納米粒子分散到水中，有丁達爾現象
D．等離子體是由大量的帶電微粒組成的，是繼固體、液體、氣體之后物質的另一種聚集狀態(tài)
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科目：高中化學 來源： 題型：
分子晶體在通常情況下不具有的性質是( )
A．晶體構成微粒是分子
B．干燥或熔化時均能導電
C．微粒間以范德華力結合
D．熔點、沸點一般低于原子晶體和離子晶體
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科目：高中化學 來源： 題型：
通常人們把拆開1mol某化學鍵所吸收的能量看成該化學鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學鍵的強弱，也可用于估算化學反應的反應熱(ΔH)，化學反應的ΔH等于反應中斷裂舊化學鍵的鍵能之和與反應中形成新化學鍵的鍵能之和的差。
| 化學鍵 | Si—O | Si－Cl | H－H | H－Cl | Si－Si | Si－C |
| 鍵能/kJ·mol－1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
請回答下列問題：
(1)比較下列兩組物質的熔點高低(填“＞”或“＜”)。
SiC________Si；SiCl4________SiO2。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應制�。�
SiCl4(g)＋2H2(g)
Si(s)＋4HCl(g)
該反應的反應熱ΔH＝________kJ·mol－1。
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科目：高中化學 來源： 題型：
A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，
B元素的原子價電子排布為ns2np2，C元素的最外層電子數是其電子層數的3倍，D元素原子的M電子層的p亞層中有1個電子。
(1)C原子的電子排布式為________________________________________________，
若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重疊方式，A與C形成的化合
物中的共價鍵屬于________鍵。
(2)當n＝2時，B的原子結構示意圖為__________，B與C形成的化合物晶體屬于____________晶體。當n＝3時，B與C形成的化合物的晶體中微粒間的作用力是_____。
(3)
若D元素與Fe形成某種晶體，該晶體的晶胞結構如右圖所示，則晶體的化學式是___(用元素符號表示)；若晶胞的邊長為a nm，則合金的密度為______________g·cm－3。
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科目：高中化學 來源： 題型：
A、B為兩種短周期元素，A的原子序數大于B，且B原子的最外層電子數為A原
子最外層電子數的3倍。A、B形成的化合物是中學化學常見的化合物，該化合物熔融
時能導電。試回答下列問題：
(1)A、B的元素符號分別是________、________。
(2)用電子式表示A、B元素形成化合物的過程：_____________________________
________________________________________________________________________。
(3)A、B所形成的化合物的晶體結構與氯化鈉晶體結構相似，則每個陽離子周圍吸引了
________個陰離子；晶體中陰、陽離子數之比為__________。
(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點比NaF晶體的熔點________，其判斷的理由是
________________________________________________________________________________________________________________________________________________。
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科目：高中化學 來源： 題型：
下列關于晶體的性質敘述中，不正確的是( )
A．晶體的自范性指的是在適宜條件下晶體能夠自發(fā)地呈現封閉規(guī)則的多面體幾何外形
B．晶體的各向異性和對稱性是矛盾的
C．晶體的對稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性重復排列的必然結果
D．晶體的各向異性直接取決于微觀粒子的排列具有特定的方向性
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