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【題目】已知:①R-NO2R-NH2;②苯環(huán)上原有的取代基對新導入的取代基進入苯環(huán)的位置有顯著影響。以下是用苯作原料制備一系列化合物的轉化關系圖:

(1)A轉化為B的化學方程式是______________________________。

(2)圖中省略了反應條件,請寫出①②物質的結構簡式:①__________,②_______。

(3)苯的二氯代物有________種同分異構體。

(4)有機物的所有原子________(不是”)在同一平面上。

【答案】CH3ClHCl 3 不是

【解析】

(1)A為硝基苯,根據(jù)信息②可知B,根據(jù)A、B的結構可知,甲基取代硝基苯苯環(huán)上硝基間位的H原子生成B;

(2)由轉化關系圖可知硝基苯發(fā)生間位取代,鹵苯發(fā)生對位取代,再利用采取倒推法判斷①、②物質的結構簡式;

(3)苯環(huán)上二個氯原子的位置有間、鄰、對位三種情況;

(4)依據(jù)該有機物中含有甲基(甲基為四面體結構)判斷即可。

(1)A為硝基苯,根據(jù)信息②可知B,根據(jù)A、B的結構可知,甲基取代硝基苯苯環(huán)上硝基間位的H原子生成B,反應方程式為:CH3ClHCl;

(2)②與水反應生成,根據(jù)信息可知②為,由轉化關系圖可知硝基苯發(fā)生間位取代,鹵苯發(fā)生對位取代,所以①鹵苯,為;

(3)苯環(huán)上二個氯原子的位置有間、鄰、對位三種情況,則苯的二氯代物有3種同分異構體;

(4)中甲基為四面體結構,所以所有原子不是在同一平面上。

練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】現(xiàn)有m g某氣體,它的摩爾質量為M g·mol-1。若阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,則:

(1)該氣體的物質的量為________mol。

(2)該氣體在標況下的密度為__________g/L。

(3)該氣體在標準狀況下的體積為____________L。

(4)該氣體溶于0.1L水中(水的密度:1g·mL-1,且不考慮反應),其溶液中溶質的質量分數(shù)為_____。

(5)該氣體溶于水后形成VL溶液,其溶液的物質的量濃度為_____mol/L。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】從廢鈷酸鋰電池正極片中(LiCoO2Al及少量鐵、鎂的化合物等)回收鈷的工藝流程如下:

下列敘述錯誤的是

A.①中發(fā)生的離子反應為2Al+2OH-+2H2O=2AlO2-+3H2

B.②中H2O2作還原劑

C.③中Na2CO3可用NaOH代替

D.④中除鎂反應不宜在強酸條件下進行

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】(有機化學基礎)丹參酸可用于藥理實驗、活性篩選等,合成丹參酸的路線如圖所示:

已知:ROH+ROOCCH3+CH3COOH

RCH2CHO+R'CH2CHO

回答下列問題:

(1)A的名稱是____,B中官能團的名稱是_______。

(2)碳原子上連有4個不同的原子或基團時,該碳原子稱為手性碳原子,上述有機物中含有手性碳原子的有機物為_____(“A”“B”“C”“D”“E”)。

(3)DE的反應類型是_______。

(4)AB的化學方程式為________。

(5)X D互為同分異構體,請寫出滿足下列條件的X的結構簡式:_______

1 mol X 能與5 mol NaOH發(fā)生反應;

②有5個碳原子在同一條直線上;

③與FeCl3溶液可以發(fā)生顯色反應。

(6)設計以、CH3CHO為原料制取的合成路線__________(其他無機試劑任選)。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】根據(jù)下圖所示實驗,回答問題:

(1)實驗①觀察到的現(xiàn)象是________________________。實驗②觀察到的現(xiàn)象是________________________

(2)實驗③觀察到的現(xiàn)象是________________________。實驗④觀察到的現(xiàn)象是________________________。

(3)由上述實驗,你能得出的結論是________________________。

(4)請總結同周期元素金屬性的變化規(guī)律__________,并用原子結構解釋其原因_________。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(如某些有機物,無機鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na2SiO3等混合溶液在7590℃反應2535 min,效果良好;卮鹣铝袉栴}

Ⅰ.1)寫出晶片制絨反應的離子方程式__________,對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型,他指出SiNaOH溶液的反應,首先是SiOH反應,生成SiO44,然后SiO44迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻醒趸瘎_______。

Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅:2MgSiO22MgOSi,同時有副反應發(fā)生:2MgSiMg2Si,Mg2Si遇鹽酸迅速反應生成SiH4(硅烷),SiH4在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進行MgSiO2反應的實驗裝置:

2)由于氧氣的存在對該實驗有較大影響,實驗中應通入氣體X作為保護氣,試管中的固體藥品可選用________(填序號)

aNa2SO3    b.鋅!   c.純堿

3)實驗開始時,必須先通入X氣體,再加熱反應物,其理由是________,當反應開始后,移走酒精燈反應能繼續(xù)進行,其原因是____________。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】 反應A(g+3B(g2C(g+2D(g,在四種不同情況下用不同物質表示的反應速率

分別如下,其中反應速率最大的是

A.v(C=0.04 mol/(L·s

B.v(B=0.06 mol/(L·min

C.v(A=0.15 mol/(L·min

D.v(D=0.01 mol/(L·s

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】工業(yè)上用重晶石(主要成分為BaSO4)制備BaCO3的常用方法有高溫煅燒還原法、沉淀轉化法等。高溫煅燒還原法的工藝流程可簡單表示如下:

1)若煅燒時產生一種有毒的還原性氣體,則反應的化學方程式為_____________。

2)工業(yè)上煅燒重晶石礦粉時,為使BaSO4得到充分的還原和維持反應所需的高溫,應采取的措施是________。

a 加入過量的焦炭,同時通入空氣

b 設法將生成的BaS及時移出

3)在第一次過濾后洗滌,檢驗是否洗滌干凈的試劑最好是________。

4)沉淀轉化法制備BaCO3可用飽和Na2CO3溶液將BaSO4轉化為BaCO3

BaSO4s)+aqBaCO3s)+aq

①在實驗室將少量BaSO4固體全部轉化為BaCO3的實驗操作方法與步驟為_________。

②與高溫煅燒還原法相比,沉淀轉化法的優(yōu)點主要有_______。

③已知:KspBaCO3)=2.40×109,KspBaSO4)=1.20×1010,F(xiàn)欲用沉淀轉化法將BaSO4轉化為BaCO3,該反應的平衡常數(shù)為________。

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】下列離子方程式書寫正確的是( 。

A.硫酸和氫氧化鋇溶液反應:Ba2=BaSO4

B.AlCl3溶液中加入足量的氨水:Al33OH=AlOH3

C.氯氣與水反應:Cl2H2O=2HClClO

D.少量稀鹽酸滴入Na2CO3稀溶液中:H=

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