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是一種半導(dǎo)體材料，基于綠色化學(xué)理念設(shè)計(jì)的制取的電解池示意圖如右，電解總反應(yīng)為：══。下列說(shuō)法正確的是(    )

A．石墨電極上產(chǎn)生氫氣

B．銅電極發(fā)生還原反應(yīng)

C．銅電極接直流電源的負(fù)極

D．當(dāng)有0.1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)，有0.1mol生成

 

Ａ

解析:電解池的陽(yáng)極接直流電源的正極，發(fā)生氧化反應(yīng)；陰極接直流電源的負(fù)極，發(fā)生還原反應(yīng)。由電解總方程式判斷，Cu做還原劑，發(fā)生氧化反應(yīng)，做電解池的陽(yáng)極，接電源的正極，則B、C不正確。石墨做電解池的陰極，H+放電產(chǎn)生氫氣，A正確。由電子守恒計(jì)算，當(dāng)有0.1mol電子轉(zhuǎn)移時(shí)，有0.05mol生成，所以D不正確。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（2011?棗莊模擬）Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為
GaAs
GaAs
．
（2）寫出As原子處于基態(tài)時(shí)的核外電子排布式
1s22s22p63s23p63d104s24p3
1s22s22p63s23p63d104s24p3
．
（3）超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個(gè)鋁原子與
4
4
個(gè)氮原子相連，氮化鋁晶體屬于
原子
原子
晶體．
（4）NH3是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是
sp3
sp3
，存在化學(xué)鍵的類型是
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
，NH3的沸點(diǎn)比AsH3高的原因是
氨氣分子間有氫鍵
氨氣分子間有氫鍵
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年山東省棗莊市高三4月模擬考試（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

   （1）砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為               。

   （2）寫出As原子處于基態(tài)時(shí)的核外電子排布式             。

（3）超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個(gè)鋁原子與       個(gè)氮原子相連，氮化鋁晶體屬于        晶體。

（4）NH3是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是           ，存在化學(xué)鍵的類型是     ，NH3的沸點(diǎn)比AsH3高的原因是                 。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：棗莊模擬 題型：問(wèn)答題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為_(kāi)_____．
（2）寫出As原子處于基態(tài)時(shí)的核外電子排布式______．
（3）超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個(gè)鋁原子與______個(gè)氮原子相連，氮化鋁晶體屬于______晶體．
（4）NH3是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是______，存在化學(xué)鍵的類型是______，NH3的沸點(diǎn)比AsH3高的原因是______．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

   （1）砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為              。

   （2）寫出As原子處于基態(tài)時(shí)的核外電子排布式            。

（3）超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個(gè)鋁原子與      個(gè)氮原子相連，氮化鋁晶體屬于        晶體。

（4）NH3是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是          ，存在化學(xué)鍵的類型是    ，NH3的沸點(diǎn)比AsH3高的原因是                。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011屆山東省棗莊市高三4月模擬考試（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

Al和Ga及N和As分別是同主族的元素，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為              。
（2）寫出As原子處于基態(tài)時(shí)的核外電子排布式            。
（3）超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁在絕緣材料中應(yīng)用廣泛，氮化鋁晶體與金剛石類似，每個(gè)鋁原子與      個(gè)氮原子相連，氮化鋁晶體屬于       晶體。
（4）NH3是氮的氫化物，中心原子的雜化方式是          ，存在化學(xué)鍵的類型是    ，NH3的沸點(diǎn)比AsH3高的原因是                。

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