Question

1．下表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．

a

b

c

d

e

f

g

h

i

j

k

l

m

n

o

試回答下列問(wèn)題：
（1）請(qǐng)寫(xiě)出元素O的基態(tài)原子電子排布式1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²．
（2）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖，其中序號(hào)“8”代表Si（填元素符號(hào)）；其中電負(fù)性最大的是2（填圖中的序號(hào)）．
（3）由j原子跟c原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點(diǎn)更高的是SiC（填化學(xué)式），試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋?zhuān)阂騍iC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si-Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高．

Answer 1

分析 由元素在周期表中位置，可知a為H、b為L(zhǎng)i、c為C、d為N、e為O、f為F、g為Na、h為Mg、i為Al、j為Si、k為S、l為Cl、m為Ar、n為K、o為Fe．
（1）o為Fe，原子核外有26個(gè)電子，根據(jù)能量最低原理書(shū)寫(xiě)核外電子排布式；
（2）第三周期中晶體硅為原子晶體，單質(zhì)的熔點(diǎn)最高；同周期自左而右元素電負(fù)性增大，故Cl元素電負(fù)性最大，氯氣、氬氣為氣體，氯氣相對(duì)分子質(zhì)量更多，分子間作用力更強(qiáng)，故氯氣的熔點(diǎn)高于氬氣的；
（3）由Si原子跟C原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體硅相同，均屬于原子晶體，原子半徑越小，形成的共價(jià)鍵鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，熔沸點(diǎn)越低．

解答 解：由元素在周期表中位置，可知a為H、b為L(zhǎng)i、c為C、d為N、e為O、f為F、g為Na、h為Mg、i為Al、j為Si、k為S、l為Cl、m為Ar、n為K、o為Fe．
（1）o為Fe，原子核外有26個(gè)電子，根據(jù)能量最低原理，核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²；
（2）第三周期中晶體硅為原子晶體，單質(zhì)的熔點(diǎn)最高，序號(hào)“8”代表Si，同周期自左而右元素電負(fù)性增大，故Cl元素電負(fù)性最大，氯氣、氬氣為氣體，氯氣相對(duì)分子質(zhì)量更多，分子間作用力更強(qiáng)，故氯氣的熔點(diǎn)高于氬氣的，故電負(fù)性最大為2，
故答案為：Si；2；
（3）由Si原子跟C原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體為SiC，SiC晶型與晶體硅相同，均屬于原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si-Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高，
故答案為：SiC；因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長(zhǎng)比晶體Si中Si-Si鍵長(zhǎng)短，鍵能大，因而熔沸點(diǎn)高．

點(diǎn)評(píng) 本題考查元素周期表、核外電子排布、電負(fù)性、晶體類(lèi)型與性質(zhì)等，掌握物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較規(guī)律，題目培養(yǎng)學(xué)生分析能力、知識(shí)遷移運(yùn)用能力．