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A+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與N3－形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖下所示．A的元素符號(hào)是________，與同一個(gè)N3－相連的A+有________個(gè)；

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2008?山東）氮是地球上極為豐富的元素．
（1）Li3N晶體中氮以N3-存在，基態(tài)N3-的電子排布式為
1S22S22P6
1S22S22P6
．
（2）N≡N的鍵能為942kJ?mol-1，N-N單鍵的鍵能為247kJ?mol-1，計(jì)算說明N2中的
π
π
鍵比
σ
σ
鍵穩(wěn)定．（填“σ”或“π”）
（3）（CH3）3NH+和AlCl4-可形成離子液體．離子液體由陰陽離子組成，熔點(diǎn)低于100℃，其揮發(fā)性一般比有機(jī)溶劑
小
小
（填“大”或“小”），可用作
b
b
（填代號(hào)）．
a．助燃劑    b．“綠色”溶劑    c．復(fù)合材料   d．絕熱材料
（4）X+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與N3-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示．X的元素符號(hào)是
Cu
Cu
，與同一個(gè)N3-相連的X+有
6
6
個(gè)．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）下列是部分金屬元素的電離能
X Y Z
第一電離能（kJ/mol） 520.2 495.8 418.8
①已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?!--BA-->
ZCl＜YCl＜XCl
ZCl＜YCl＜XCl
．
②RCl用作有機(jī)合成催化劑，并用于顏料、防腐等工業(yè)．R+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與Cl-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示．R的元素符號(hào)是
Cu
Cu
，與同一個(gè)Cl-相連的R+有
4
4
個(gè)．
（2）納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域．A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大，可用作燃料．已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：
電離能（kJ/mol） I1 I2 I3 I4
A 932 1821 15390 21771
B 738 1451 7733 10540
①某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如圖2所示，所畫的電子排布圖違背了
能量最低原理
能量最低原理
．
②A和氯元素形成的簡單分子為
非極性分子
非極性分子
（填“極性分子”或“非極性分子”）．
（3）氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲(chǔ)存問題，C60可用作儲(chǔ)氫材料．
已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm，C60中C-C鍵長為145～140pm，有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C60的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確
否
否
（填“是”或“否”），并闡述理由
因?yàn)榻饎偸窃泳w，而C60是分子晶體
因?yàn)榻饎偸窃泳w，而C60是分子晶體
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2009?深圳二模）前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB2能升華；C和E原子都有一個(gè)未成對(duì)電子，C+比E-少一個(gè)電子層，E原子的一個(gè)電子后3p軌道全充滿；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)代數(shù)和為4，其最高價(jià)氧化物中D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，廣泛用于電氣工業(yè)．回答下列問題：
（1）元素電負(fù)性：D
＜
＜
E （填＞、＜或=）
（2）A、C單質(zhì)熔點(diǎn)A
＞
＞
C（填＞、＜或=）
（3）AE4中A原子雜化軌道方式為：
SP3
SP3
雜化；其固態(tài)晶體類型為
分子晶體
分子晶體
．
（4）F的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1
；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍(lán)色溶液，加入乙醇會(huì)析出藍(lán)色晶體，該晶體中F與NH3之間的化學(xué)鍵為
配位鍵
配位鍵
．
（5）氫化物的沸點(diǎn)：B比D高的原因
水分子間存在氫鍵，增大分子間作用力
水分子間存在氫鍵，增大分子間作用力
；
（6）元素X的某價(jià)態(tài)陰離子Xn-中所有電子正好充滿K和L電子層，CnX晶體的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示．該晶體中陽離子和陰離子個(gè)數(shù)比為
3：1
3：1
，晶體中每個(gè)Xn-被
6
6
個(gè)等距離的C+離子包圍．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

確定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)．請(qǐng)回答下列問題．
（1）已知A和B為第三周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：
電離能/kJ?mol-1 I1 I2 I3 I4
A 578 1817 2745 11578
B 738 1451 7733 10540
A通常顯
+3
+3
價(jià)，A的電負(fù)性
＞
＞
B的電負(fù)性；
A的第一電離能
＜
＜
B的第一電離能（填“＞”、“＜”或“=”）．
（2）實(shí)驗(yàn)證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似（如圖1所示，其中TiN中N呈-3價(jià)），已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：
離子晶體 KCl MgO CaO
晶格能/kJ?mol-1 715 3791 3401
則該 4種離子晶體熔點(diǎn)從高到低的順序是：
TiN＞MgO＞CaO＞KCl
TiN＞MgO＞CaO＞KCl
．其中MgO晶體中一個(gè)Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有
12
12
個(gè)．
（3）金屬陽離子含未成對(duì)電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好．離子型氧化物V2O5和CrO2中，適合作錄音帶磁粉原料的是
CrO2
CrO2
．
（4）某配合物的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示，其分子內(nèi)不含有
AC
AC
（填序號(hào)）．
A．離子鍵         B．極性鍵         C．金屬鍵
D．配位鍵         E．氫  鍵         F．非極性鍵
（5）某離子X+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與N3-形成的晶體結(jié)構(gòu)如右圖所示．X的元素符號(hào)是
Cu
Cu
，與同一個(gè)N3-相連的X+有
6
6
個(gè)．
（6）在硼酸[B（OH）3]分子中，B原子與3個(gè)羥基相連，其晶體具有與石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)．則分子中B原子雜化軌道的類型及同層分子間的主要作用力分別是
C
C

A．SP，范德華力  B．sp2，范德華力  C．sp2，氫鍵    D．sp3，氫鍵
（7）CaC2中
C
2-
2
與
O
2+
2
互為等電子體，
O
2+
2
的電子式可表示為
；1mol 
O
2+
2
中含有的π鍵數(shù)目為
2NA
2NA
．

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