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下面的排序錯(cuò)誤的是
A．晶體熔點(diǎn)由高到低：MgO> H2O > NH3
B．熔點(diǎn)由高到低：金剛石>生鐵>純鐵>鈉
C．硬度由大到小：金剛石>碳化硅>晶體硅
D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI
B

試題分析：B項(xiàng)：順序應(yīng)為，金剛石>純鐵>生鐵 >鈉，故錯(cuò)。故選B。
點(diǎn)評：本題考查的是熔點(diǎn)、硬度、晶格能的相關(guān)知識，需要注意的是合金的熔點(diǎn)會低于各組成成分的熔點(diǎn)。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

碳化硅(SiC)的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三種晶體：①金剛石 ②碳化硅 ③二氧化硅中，它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是
A．①②③     B．①③②     C．③①②     D．②①③

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列化學(xué)式能真實(shí)表示物質(zhì)分子組成的是
A．NaOHB．SO3C．CsClD．SiO2

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列說法不正確的是(　　) 
A．HCl、HBr、HI的熔、沸點(diǎn)依次升高與分子間作用力大小有關(guān)
B．H2O的熔、沸點(diǎn)高于H2S是由于H2O分子之間存在氫鍵
C．甲烷可與水形成氫鍵
D．I2易溶于CCl4可以用相似相溶原理解釋

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列離子晶體中,熔點(diǎn)最低的是（   ）
A．NaClB．KClC．CaOD．MgO

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（6分）一種離子晶體的晶胞如右圖其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個(gè)晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
（3）陽離子周圍距離最近的陰離子數(shù)為_____，陰離子周圍距離最近的陽離子數(shù)_____。
（4）已知A的離子半徑為r m，則該晶胞的體積是 ___________m3。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

金屬晶體的下列性質(zhì)中，不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是
A．易導(dǎo)電B．易導(dǎo)熱C．有延展性D．易銹蝕

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于金屬及金屬鍵的說法正確的是(　　)
A．金屬鍵具有方向性和飽和性
B．金屬鍵是金屬陽離子與自由電子間的相互作用
C．金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶鲎饔孟庐a(chǎn)生自由電子
D．金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇栯x子吸收并放出可見光

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列有關(guān)晶體的敘述中，不正確的是（   ）
A．金剛石空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，由共價(jià)鍵形成的碳原子環(huán)中，最小環(huán)上有6個(gè)碳原子
B．氯化鈉晶體中，每個(gè)Na＋周圍距離相等的Cl－共有6個(gè)
C．氯化銫晶體中，每個(gè)CS＋周圍緊鄰8個(gè)Cl－
D．干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍緊鄰10個(gè)CO2分子

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同步練習(xí)冊答案