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根據(jù)下列關(guān)系.分別指出B元素與A元素的原子序數(shù)差.

①A、B同主族,分別在第三和第四周期,原子序數(shù)差為_(kāi)_______;

②A、B同周期,分別在ⅡA和ⅢA族,原子序數(shù)差為_(kāi)_______;

③A、B均在第五周期,分別為ⅢB和ⅡB族,原子序數(shù)差為_(kāi)_______;

④A、B同周期,分別在Ⅷ和0族,原子序數(shù)差為_(kāi)_______.

答案:略
解析:

818;11125;9;1098

本題是一道考查元素周期表結(jié)構(gòu)的試題.①AB同主族,分別在第三和第四周期時(shí)有兩種情況,第一種情況在ⅠA族或ⅡA族,A、B原子序數(shù)差8;第二種情況在ⅢA族~ⅦA族,A、B原子序數(shù)差18;②AB同周期,分別在ⅡA和ⅢA族有三種情況,第一種情況A、B在短周期時(shí)為1,第二種情況A、B在四或五周期時(shí)為11,第三種情況AB在六周期時(shí)為25;③A、B均在第五周期,分別為ⅢB和ⅡB時(shí),A、B原子序數(shù)差為9;④A、B同周期,分別在Ⅷ和0族時(shí),由于Ⅷ族有三列,所以有三種情況:1098


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

【化學(xué)--選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N>P>As
N>P>As

(3)As原子序數(shù)為
33
33
,其核外M層和N層電子的排布式為
3s23p63d104s24p3
3s23p63d104s24p3
;
(4)NH3的沸點(diǎn)比PH3
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵,而PH3分子間僅有較弱的范德華力
NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵,而PH3分子間僅有較弱的范德華力

PO43-離子的立體構(gòu)型為
正四面體
正四面體
;
(5)H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13.硝酸完全電離,而亞硝酸K=5.1×10-4,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離

②硝酸比亞硝酸酸性強(qiáng)的原因
硝酸中N呈+5價(jià),N-O-H中O的電子更向N偏移,導(dǎo)致其越易電離出氫離子
硝酸中N呈+5價(jià),N-O-H中O的電子更向N偏移,導(dǎo)致其越易電離出氫離子
;
(6)NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長(zhǎng)為a cm,則該晶體中距離最近的兩個(gè)陽(yáng)離子核間的距離為
2
2
a
2
2
a
cm(用含有a的代數(shù)式表示).
在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如圖),可以認(rèn)為氧離子作密致單層排列,鎳離子填充其中,列式并計(jì)算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為
1.83×10-3
1.83×10-3
g (氧離子的半徑為1.40×10-10m)

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量.Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序?yàn)?!--BA-->
Al>Mg
Al>Mg
;O與F電負(fù)性大到小的順序?yàn)?!--BA-->
F>O
F>O
.(用<或=或>表示)
(3)34號(hào)元素的價(jià)層電子的電子排布圖為
1s22s22p63s23p63d104s24p4
1s22s22p63s23p63d104s24p4
,在周期表位于
第四周期第ⅥA族
第四周期第ⅥA族
區(qū);Mn2+基態(tài)的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d5
1s22s22p63s23p63d5

(4)氣態(tài)SO2分子的立體構(gòu)型為
V形
V形
;SO32-離子的立體構(gòu)型為
三角錐型
三角錐型
(均用文字描述)
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋;
①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因:
酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
;
(6)向CuSO4溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu(OH)4]2-.不考慮空間構(gòu)型,[Cu(OH)4]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為

(7)Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,該氯化物的化學(xué)式是
CuCl
CuCl

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

(2011?嘉興模擬)(Ⅰ)氨是一種重要的化工原料,氨的合成和應(yīng)用是當(dāng)前的重要研究?jī)?nèi)容之一.
(1)以天然氣為原料制H2是合成氨的一條重要的路線.甲烷的部分氧化,其反應(yīng)式如下:
①CH4(g)+
1
2
O2(g)=CO(g)+2H2(g)△H1=-35.6kJ?mol-1
試判斷常溫下,上述反應(yīng)能否自發(fā)進(jìn)行
(填“能”或“否”),有研究認(rèn)為甲烷部分氧化的機(jī)理為:
②CH4(g)+2O2(g)=CO 2(g)+2H2O(g)△H2=-890.3kJ?mol-1
③CH4(g)+CO2(g)=2CO(g)+2H2(g)△H3=247.3kJ?mol-1
試結(jié)合反應(yīng)①,確定下面熱化學(xué)反應(yīng)方程式中的△H值
CH4(g)+H2O(g)=CO(g)+3H2(g)△H=
250.3
250.3
kJ?mol-1
(2)恒溫下,向一個(gè)2L的密閉容器中充入1mol N2和2.6mol H2,反應(yīng)過(guò)程中對(duì)NH3的濃度進(jìn)行檢測(cè),得到的數(shù)據(jù)如下表所示:
時(shí)間/min 5 10 15 20 25 30
c(NH3)/(mol?L-1 0.08 0.14 0.18 0.20 0.20 0.20
此條件下,該反應(yīng)達(dá)到化學(xué)平衡時(shí),氮?dú)獾臐舛葹?!--BA-->
0.4mol/L
0.4mol/L

(3)希臘亞里斯多德大學(xué)的Marmellos和Stoukides用一種特殊的電解方法合成氨.即在常壓下把氫氣和用氦氣稀釋的氮?dú),分別通入到570℃的電解池中,用高質(zhì)子導(dǎo)電性的SCY陶瓷(能傳遞H+)為介質(zhì),金屬鈀多晶薄膜做電極,轉(zhuǎn)化率高達(dá)78%.其實(shí)驗(yàn)裝置如右圖.陰極的電極反應(yīng)式
N2+6e-+6H+=2NH3
N2+6e-+6H+=2NH3

(4)用標(biāo)準(zhǔn)鹽酸標(biāo)定某氨水的濃度時(shí)應(yīng)該選擇下列哪種指示劑最好
A
A

A.甲基橙        B.石蕊       C.酚酞
(Ⅱ) pC類似pH,是指極稀溶液中溶質(zhì)物質(zhì)的量濃度的常用對(duì)數(shù)負(fù)值,如溶液中某溶質(zhì)的濃度為:1×10-3mol?L-1,則pC=-lg(1×10-3)=3.某溫度下,H2CO3溶液的pC-pH關(guān)系如圖.

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)pH=2~4時(shí),H2CO3溶液中主要存在的離子為
H+、HCO3-
H+、HCO3-
;
(2)求此溫度下H2CO3?H++HCO3-的電離平衡常數(shù)
10-6mol/L
10-6mol/L
;
(3)能夠抵抗外來(lái)少量酸堿的影響、保持自身 pH變化不大的溶液,稱之為緩沖溶液.如濃度均為0.1mol?L-1的NaHCO3和Na2CO3混合溶液就是一種緩沖溶液,加入少量酸或堿,由于平衡HCO3-?H++CO32-移動(dòng),溶液中H+濃度變化不大.根據(jù)上述信息,確定氨水和氯化銨的混和溶液能不能形成緩沖溶液

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
 
;
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
 

(3)As原子序數(shù)為
 
,其核外M、N層電子的排布式為
 

(4)NH3的沸點(diǎn)比PH3
 
(填“高”或“低”),原因是
 
.PO43-離子的立體構(gòu)型為
 
;
(5)H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13.請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋,H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013-2014學(xué)年江西省贛州市高三上學(xué)期期末聯(lián)考理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____;

(3)Se原子序數(shù)為_(kāi)_____,其核外M層電子的排布式為_(kāi)_____;

(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____三角錐形;

(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                    ;第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm,密度為_(kāi)___________(列式并計(jì)算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為_(kāi)__________________pm(列式表示)。

 

 

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同步練習(xí)冊(cè)答案