Question

13．A、B、C、D、E是原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，A是短周期中金屬性最強的元素，B是地殼中含量最高的金屬元素，C單質的晶體是良好的半導體材料，D的最外層電子數(shù)與內層電子數(shù)之比為3：5．
（1）C的原子結構示意圖為，D在元素周期表中的位置第3周期第VIA族
（2）A單質在氧氣中燃燒生成化合物甲，甲中所含化學鍵類型為離子鍵、共價鍵；A單質在E單質中燃燒生成化合物乙，用電子式表示乙的形成過程．
（3）F是中學化學常見元素，它的一種氧化物為紅棕色粉末，B單質與其在高溫條件下反應是冶煉F單質的方法之一，該反應的化學方程式為Fe₂O₃+2Al$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2Fe+Al₂O₃
（4）A、B、D、E的離子半徑由大到小的順序為：S^2-＞Cl^-＞Na⁺＞Al³⁺；（請用化學用語填寫，下同）C、D、E的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順序為：HCl＞H₂S＞SiH₄．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E是原子序數(shù)依次增大的短周期元素，A是短周期中金屬性最強的元素，則A是Na元素，B是地殼中含量最高的金屬元素，則B是Al元素，C單質的晶體是良好的半導體材料，則C為Si元素，D的最外層電子數(shù)與內層電子數(shù)之比為3：5，原子有3個電子層，最外層電子數(shù)為6，則D為S元素，故E為Cl元素．

解答 解：A、B、C、D、E是原子序數(shù)依次增大的短周期元素，A是短周期中金屬性最強的元素，則A是Na元素，B是地殼中含量最高的金屬元素，則B是Al元素，C單質的晶體是良好的半導體材料，則C為Si元素，D的最外層電子數(shù)與內層電子數(shù)之比為3：5，原子有3個電子層，最外層電子數(shù)為6，則D為S元素，故E為Cl元素．
（1）C為Si元素，原子結構示意圖為：，D為S元素，在周期表中位置為：第3周期第VIA族，
故答案為：；第3周期第VIA族；
（2）A為Na，單質在氧氣中燃燒生成化合物甲為過氧化鈉，過氧化鈉中含有離子鍵、共價鍵，鈉在氯氣中燃燒生成NaCl，用電子式表示形成過程為：，
故答案為：離子鍵、共價鍵；；
（3）F是中學化學常見元素，它的一種氧化物為紅棕色粉末，則F為Fe，紅棕色粉末為氧化鐵，鋁單質與氧化鐵在高溫條件下反應是冶煉鐵的方法之一，該反應的化學方程式為：Fe₂O₃+2Al$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2Fe+Al₂O₃，
故答案為：Fe₂O₃+2Al$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$2Fe+Al₂O₃；
（4）A、B、D、E形成的簡單離子分別為：Na⁺、Al³⁺、S^2-、Cl^-，電子層結構相同，核電荷數(shù)越大離子半徑越小，電子層越多離子半徑越大，故離子半徑：S^2-＞Cl^-＞Na⁺＞Al³⁺，
非金屬性Cl＞S＞Si，元素的非金屬性越強，對應的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強，即氫化物穩(wěn)定性：HCl＞H₂S＞SiH₄，
故答案為：S^2-＞Cl^-＞Na⁺＞Al³⁺；HCl＞H₂S＞SiH₄．

點評 本題考查結構性質位置關系應用，推斷元素是解題關鍵，掌握微粒半徑比較與元素周期律，掌握用電子式表示物質或化學鍵的形成．