氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高、不溶于酸(氫氟酸除外),是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料.一種用工業(yè)硅(含少量鉀、鈉、鐵、銅的氧化物),已知硅的熔點(diǎn)是1420℃,高溫下氧氣及水蒸氣能明顯腐蝕氮化硅.一種合成氮化硅的工藝主要流程如下:
(1)凈化N2和H2時(shí),銅屑的作用是:________;硅膠的作用是________.
(2)在氮化爐中3SiO2(s)+2N2(g)=Si3N4(s) ΔH=-727.5 kJ/mol,開始時(shí)為什么要嚴(yán)格控制氮?dú)獾牧魉僖钥刂茰囟龋篲_______;體系中要通入適量的氫氣是為了________.
(3)X可能是________(選填:“鹽酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氫氟酸”).
(4)如何說明氮化硅產(chǎn)品已用水洗干凈?________.
(5)用硅粉作硅源、疊氮化鈉(NaN3)作氮源,直接燃燒生成氮化硅(發(fā)生置換反應(yīng)),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為:________.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
| A、合金一定比對(duì)應(yīng)的純金屬耐腐蝕 | B、制備普通玻璃的原料有燒堿、石英和石灰石 | C、氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作耐高溫陶瓷和軸承 | D、聚乙烯加熱會(huì)軟化,遇冷后又能變成固體的性質(zhì),說明它是熱固性材料 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
![]()
①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。
②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是__________________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。
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科目:高中化學(xué) 來源:2016屆吉林省高一上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
請(qǐng)回答下列問題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷
還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:
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①寫出由純
制備高純硅的化學(xué)方程式: ____________________________________。
②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。
遇水劇烈反應(yīng)生成
、HCl和另一種物質(zhì),配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為___________________________;
還原
過程中若混入
可能引起的后果是____________________________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是_________ (填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入稀硝酸,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋 。
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