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鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH)，化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．參考以下表格中的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“＞”或“＜”)：SiC________Si；SiCl4________SiO2．

(2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷晶體硅和化合物SiCl4的熔點高低？________(填“能”或“不能”)，理由是________．

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：SiCl4(g)＋2H2(g)＝＝Si(s)＋4HCl(g)．

計算該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH為________．

答案：
解析：

　　(1)＞；＜．

　　(2)不能，晶體硅是原子晶體，它的熔點與共價健的強度直接關(guān)系，而四氯化硅是分子晶體，它的熔點與分子間作用力的大小有關(guān)，所以不能根據(jù)鍵能的比較晶體硅和SiCl4的熔點高低．

　　(3)236 kJ/mol．


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能．鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/
kJ?mol-1		 460 360 436 431 176 347
請回答下列問題：
（1）已知Si、SiC、SiO2熔化時必須斷裂所含化學(xué)鍵，比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“＞”或“＜”）：SiC
＞
＞
Si，Si
＜
＜
SiO2
（2）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�
SiCl4（g）+2H2（g）
 高溫 
.
 
Si（s）+4HCl（g），
則2mol H2生成高純硅需
吸收
吸收
（填“吸收”或“放出”）能量
236
236
kJ．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

通常把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能．鍵能的大小可以衡量化學(xué)  鍵的強弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．下面列舉了一些化學(xué)鍵的鍵能數(shù)據(jù)，供計算使用．
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/Kj．mol-1 460 360 436 431 176 347
工業(yè)上的高純硅可通過下列反應(yīng)制�。篠iCl4（g）+2H2（g）═Si（s）+4HCl（g），該反  應(yīng)的反應(yīng)熱△H為（　　）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有A、B、C、D、E五種元素，其中A、B、C屬于同一周期，且原子序數(shù)B＞C，A原子最外層p能級的電子數(shù)等于次外層的電子總數(shù)，B元素可分別與A、C、D、E生成常見的RB2型化合物，并知在DB2和EB2中，D與B的質(zhì)量比為7：8，E與B的質(zhì)量比為1：1．根據(jù)以上條件，回答下列問題：
（1）推斷五種元素分別是（用元素名稱回答）：D
硅
硅
，E
硫
硫
．
（2）指出C元素在元素周期表中的位置
第二周期第ⅤA族
第二周期第ⅤA族
．E元素的最高價氧化物的分子構(gòu)型為
平面三角形
平面三角形
．
（3）沸點DB2
＞
＞
EB2（填“＞”、“＜”或“=”等于），理由
SiO2是原子晶體，SO2是分子晶體，故沸點SiO2＞SO2
SiO2是原子晶體，SO2是分子晶體，故沸點SiO2＞SO2

（4）寫出與EB3分子互為等電子體并含A、B、C任意兩種元素的微粒
NO3-
NO3-
（填1種）
（5）通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能．鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，下列是一些鍵的鍵能：SiCl4（g）+2H2（g） 高溫 Si（s）+4HCl（g）  通過計算該反應(yīng)是
吸
吸
熱（填“吸”或
“放”）
236
236
kJ/mol
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有A、B、C、D、E、F六種元素，已知：它們位于三個不同短周期，核電荷數(shù)依次增大；A與E、B與F分別同主族；A、E分別都能與D按原子個數(shù)比1﹕1或2﹕l形成化合物；B、C分別都能與D按原子個數(shù)比1﹕1或1﹕2形成化合物．
（1）寫出只含有A、B、D、E四種元素的兩種常見無水鹽的化學(xué)式
NaHCO3、CH3COONa
NaHCO3、CH3COONa
．
（2）如圖是A與D形成的一種化合物的晶體結(jié)構(gòu)示意圖，其中的虛線表示
氫鍵
氫鍵
．E與D按原子個數(shù)比1﹕1，形成的化合物的電子式為
．
（3）人們通常把拆開l mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能．鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．下表列出了上述部分元素形成的化學(xué)鍵的鍵能：
化學(xué)鍵 F-D F-F B-B F-B C═D D═D
鍵能/kJ?mol-1 460 176 347.7 347 745 497.3
①下列三種物質(zhì)形成的晶體，熔點由高到低的順序（用a、b、c表示）：
a＞c＞b
a＞c＞b
．
a．F與B形成的化合物  b．B與D形成的穩(wěn)定化合物  c．F的單質(zhì)
②試估算F單質(zhì)晶體的燃燒熱：
△H=-990.7kJ/mol
△H=-990.7kJ/mol
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“＞”或“＜”）
SiC
＞
＞
Si； SiCl4
＜
＜
SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si和化合物SiCl4的熔點高低？
不能
不能
（填“能”或“不能”），原因是
物質(zhì)熔點高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點高低．
物質(zhì)熔點高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點高低．

（3）如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“?”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。篠iCl4（g）+2H2（g）
高溫
 Si（s）+4HCl（g）計算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為
+236kJ/mol
+236kJ/mol
．

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