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芯片是“智能家電”的核心部件,它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的。制取高純硅的化學方程式為:①SiO2+2C Si(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HCl  SiHCl3+H

③SiHCl3+H2   Si(純)+3HCl。下列說法錯誤的是

A.①②③屬于同一基本反應(yīng)類型             B.②③的目的是將粗硅提純

C.生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用             D.上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進行

 

【答案】

D

【解析】

試題分析:根據(jù)題意分析。

A、①②③三個反應(yīng)的反應(yīng)物和生成物都是一種單質(zhì)和一種化合物,故屬于同一基本反應(yīng)類型——置換反應(yīng),正確;

B、根據(jù)題意,反應(yīng)②③的目的是將粗硅提純成純硅,正確;

C、根據(jù)題意,反應(yīng)②中消耗了HCl,而反應(yīng)③中又生成了HCl,故生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用,正確;

D、根據(jù)三個反應(yīng)的化學方程式可知,三個反應(yīng)要在高溫或加熱的條件下反應(yīng),故用于反應(yīng)的設(shè)備需要耐高溫,不僅只是干燥錯誤。故選D

考點:化學基本反應(yīng)類型的判定

點評:關(guān)于化學基本反應(yīng)類型的判定,要從化學方程式中的反應(yīng)物和生成物的種類、條件方面進行分析、判斷,從而得出正確的結(jié)論。

 

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:初中化學 來源: 題型:

芯片是“智能家電”的核心部件,它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的.制取高純硅的化學方程式為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HCl
 加熱 
.
 
SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2
 高溫 
.
 
Si(純)+3HCl.下列說法錯誤的是( 。
A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型
B、②③的目的是將粗硅提純
C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用
D、上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進行

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科目:初中化學 來源: 題型:

(2012?玄武區(qū)一模)芯片是“智能家電”的核心部件,它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的.制取高純硅的化學方程式為:①SiO2+2C=Si(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si(純)+3HCl.下列說法錯誤的是( 。

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科目:初中化學 來源:玄武區(qū)一模 題型:單選題

芯片是“智能家電”的核心部件,它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的.制取高純硅的化學方程式為:①SiO2+2C=Si(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si(純)+3HCl.下列說法錯誤的是( 。
A.反應(yīng)①中,CO是還原劑
B.①②③屬于同一反應(yīng)類型
C.②③的目的是將粗硅提純
D.上述反應(yīng)進行中不能有O2存在

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科目:初中化學 來源:2012年江蘇省南京市玄武區(qū)中考化學一模試卷(解析版) 題型:選擇題

芯片是“智能家電”的核心部件,它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的.制取高純硅的化學方程式為:①SiO2+2C=Si(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si(純)+3HCl.下列說法錯誤的是( )
A.反應(yīng)①中,CO是還原劑
B.①②③屬于同一反應(yīng)類型
C.②③的目的是將粗硅提純
D.上述反應(yīng)進行中不能有O2存在

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科目:初中化學 來源:2011年山東省濟南市中考化學模擬試卷(四)(解析版) 題型:選擇題

(2011?西城區(qū)一模)芯片是“智能家電”的核心部件,它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的.制取高純硅的化學方程式為:①SiO2+2CSi(粗)+2CO↑  ②Si(粗)+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si(純)+3HCl.下列說法錯誤的是( )

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